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俄羅斯大煉自主“熊芯”!斥資3萬億盧布,8年實現28nm量產

臺積電:預計在2026年實現2nm量產。

俄羅斯:爭取在2022年搞出90nm。

斥資近2500億人民幣,8年實現28nm

在設備與資金輸入被大部切斷、自身的經濟技術實況也越發露底的當下,俄羅斯官方在計劃上馬新的國產替代來源項目。

最近,俄羅斯貿易和工業部的22個工作組共同參與起草了一份,目標雄心勃勃,但資金十分有限的半導體發展計劃。該文件將于2022年4月22日送交俄羅斯總理審查和批準。

根據擬定的初步方案,政府預計會投入共計3.19萬億盧布(約2443億人民幣)來發展國產半導體的生產技術、芯片開發、數據中心基礎設施、培養人才,以及解決方案的營銷。

其中最為矚目的就是,2022年底實現90nm(英特爾2003年水準)的國產化,并在8年后的2030年建立起28nm(臺積電2011年水準)的生產線。

在半導體制造方面,計劃可分為產品、基礎設施、需求和人才這四個部分,預計花費4200億盧布(約321億人民幣)。

‘產品’

目前來說最為緊迫的可能就是之前提到的90nm和28nm的量產了。

不過,首先還是需要通過逆向工程破解所有相關‘境外產品解決方案’。

之后的計劃是2024年前盡可能讓所有數碼軟硬件產品都轉為俄羅斯國產,并在2030年讓整個電子產品生態都用上本國的技術。

根據該計劃,國家將為項目的這一部分撥款1.14萬億盧布(約872億人民幣)。

‘基礎設施’

對此,政府將投入4600億盧布(約352億人民幣),讓本地的數據中心從現在的70個增加到2030年的300個。

‘需求’

政府將刺激國內最大的公司和企業購買國產電子產品,并從官方預算中補貼高達50%的合同金額。此項目的金額為1.28萬億盧布(約980億人民幣)。

預計到2030年,俄羅斯30%的家庭將改用國產電子產品;而政府采購的產品則為100%。

‘人才’

據稱到2030年,此子項目資金投入的數額將達到3090億盧布(約236億人民幣)。

在這個子項目中,據說要開發不少于400個新型電子產品的原型,并開展不少于2000個研究和開發項目。

與此同時,該文件的作者希望將國內高等教育機構畢業生的所謂 ‘人才轉換’,也就是從目前的5%提高到35%。

此外,該計劃還包括在現有和新的高校內設計中心基礎上創建至少1000個設計團隊。

想搞國產光刻機,但只有5千萬人民幣

2022年3月底,俄國本地信源宣布:貿易與工業部撥款6.7億盧布(約5100萬人民幣),讓莫斯科國立電子技術學院(MIET)進行X射線光刻機的相關研究,以期盡早開發出基于X射線同步輻射和/或等離子電漿技術的無掩膜光刻機。

項目最終目標,據稱是要做出俄國國產的16-28nm級別的半導體晶圓。當然,要是能做出更微型的10nm成品,俄國貿易與工業部的負責官員會更高興。

用白話概括,俄國政府的國產新型光刻機項目撥款相當于滿世界被扣的本國寡頭豪華游艇中隨便一艘的造價,追趕的產品規格是2009-2012年的世界先進標準,如果達到2016年業界標準就當撿到寶。

似乎也有那么點可行度?

這是從2月底開始,俄國政府‘大力加碼投資’本國科研機構開發關鍵的國產半導體的努力之一。

當下全世界最先進的EUV光刻機都由荷蘭的ASML提供,臺積電、三星、英特爾都離不了這個設備。

不過小小寰球風云變化后,有的國家可就買不到ASML造的光刻機了,其中自然包括俄國。

有趣的是,俄國并非一直與EUV光刻機的開發態勢脫節。在此技術初現的2010年代,俄國的相關領域研究人員深度介入了此技術的初始開發,相關技術也被應用在ASML的成品中。

而現在俄國做光刻機國產替代品的發力方向,是1980年代中期蘇聯研究者意欲研發的X射線同步輻射。

當然,和大部分冷戰中對標西方的科工項目一樣,這個研發項目在蘇聯時代就實質停擺了。

而到了2022年,俄國又撿起了上個時代的‘高新’科技項目作為救命用的后備選項。重新上馬的項目據說會在2023年推出樣品。

MIET微電子系統系主任Nikolai Dyuzhev表示:‘我們的這個項目是全球獨一、沒有類似的研究課題,全世界沒有任何一個人基于此技術做出了光刻機?!?/p>

這話委實不假,用廢棄的老技術方向做獨立替代品并不是全球業界常態。

據稱MIET研究在2022年11月會正式上馬,全球翹首以待,等著看他們樣機的技術規格與可行性研究報告。

不過真的要進行工業規模的生產試運行的話,Nikolai Dyuzhev說還得再等五年。

X射線光刻機

作為光刻機領域的老大,ASML去年在研發中的投入為25億歐元(約172億人民幣)。

其光刻機所用的極紫外光(EUV)波長為13.5nm,可以用于制造7nm及以下的先進工藝。

而俄羅斯計劃開發的光刻機,使用的則是X射線技術,其波長介于0.01nm到10nm之間,不需要光掩模就能生產芯片。

雖說光刻機的架構及技術很復雜,不過決定分辨率的主要因素就是三點,分別是常數K、光源波長及物鏡的數值孔徑。也就是說波長越短,分辨率就越高。

所以理論上,X射線光刻機在分辨率上是具有極大優勢的。

俄羅斯的無掩膜X射線納米光刻MOEMS(微光機電系統)將在兩個主要領域進行開發:X射線反射率的控制和X射線透射率的控制。

俄羅斯的半導體之路,道阻且長

從過往經驗來看,俄羅斯在數碼產業的強處是軟件產品與相關技術服務,做芯片和數碼硬件一直是短板。

對于整個計劃來說,不僅在操作上難度頗大,而且并不是所有人都對自主可控這件‘費力不討好’的事情感興趣。

雖說28nm到時候已經變為一項擁有20年歷史的古老技術了,即便如此,但是建立一個能夠生產芯片的工廠本身,就十分具有挑戰了。

此外,在人才培養方面,一般來說每個硬件研發/設計中心至少需要有100名專門的專業人員,這將轉化為3-5萬人的技術人力缺口。

考慮到一個專門的技術專家的培訓周期至少是8或9年,這5萬人現在必須已經在俄羅斯本國的高等教育機構就讀。

一位不愿透露姓名的大型IT公司的員工告訴《生意人報》,雖然該項目確實有及時和合理的措施,但它主要由脫離現實的建議組成。

俄國本國的高科技產品工具、資源和技術企業Basis的負責人Arseny Brykin認為,必須從國外買到相應的設備,才能在8年內實現生產。否則就必須要消耗巨大的資金去補全一個完整的技術路徑,包括生產新材料,在工程、光學等方面。

看來,即便是在如此嚴峻制裁下,也依然無法打消那些‘造不如買’的想法?!矩熑尉庉?額發】

來源:新智元

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